内存暴涨下，SK海力士宣布成功开发LPDDR6
内存价格暴涨之际，韩国半导体巨头SK海力士3月10日通过其官网宣布，该公司已成功开发出基于10纳米级第6代（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM，目标在今年上半年完成量产准备工作，并在下半年开始出货。
声明提到，SK海力士已于1月份在CES 2026上首次展示了该产品，并于近期完成了开发认证。SK海力士方面表示：“我们是全球首家完成基于1c工艺开发LPDDR6的公司。”
低功耗是其最新产品的核心亮点之一。
据介绍，与上一代LPDDR5X相比，LPDDR6大幅提升了数据处理速度和能效，其数据处理速度较上一代提升了33%，运行速度超过10.7Gbps（每秒10.7千兆比特），超越了现有产品的最高水平。同时，功耗也较上一代降低了20%以上。
此前，《韩国商业周刊》（ Business Korea）曾披露，SK海力士的LPDDR6内存通过引入“高效模式”，能够在保持12.8Gb/s传输速率的同时降低功耗。LPDDR6在低电压条件下可实现10.9Gb/s的传输速率，即使在14.4Gb/s的峰值速度下也能保持稳定的性能。
SK海力士特别提到，为了降低功耗，公司采用了一种名叫动态电压频率调节（DVFS）的电源管理技术。简单来说，根据不同的工作条件和使用场景，系统会对电压和频率进行调整。例如，在游戏等高性能场景下，系统会调高电压和频率以实现最大带宽，而在日常使用中则会调低电压和频率以降低功耗。
SK海力士强调，其LPDDR6主要针对具备端侧AI（On-device AI）功能的智能手机和平板电脑。
《韩国商业周刊》、《朝鲜日报》等韩媒均提到，传统上来说，专门应用于智能手机等移动设备的LPDDR就具有低功耗的特点。随着端侧AI的竞争日益激烈，恰好满足其需求的LPDDR已得到了存储厂商们的重视。三星开发的LPDDR6同样强调能效，其大部分电路在超低电压下运行，读取功耗较LPDDR5降低了27%，并且采用了1b工艺，领先于SK海力士。
推理型人工智能会生成临时的“键值缓存”（KV缓存）数据来维护对话上下文。随着上下文长度的增长，KV缓存的需求也会急剧上升，甚至可能超过GPU中HBM内存的容量。因此，将HBM的高带宽与LPDDR的高容量和低功耗设计相结合，正成为一种极具前景的解决方案。
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