研究者发表p型氧化物电子学前沿研究综述
2月4日，电子科技大学基础与前沿研究院电子薄膜与集成器件全国重点实验室刘奥团队受邀在《自然综述：电气工程》发表前沿评论文章，梳理了团队近年来在“p型氧化物电子学”领域的研究进展，阐述了半金属-氧化物新材料体系的物理内涵与器件发展思路，并对该领域未来研究方向进行了展望。
P型氧化物半导体是构建互补金属氧化物半导体（CMOS）电路、三维集成以及柔性电子系统的关键材料，但长期以来受限于空穴迁移率低、掺杂难以稳定调控等问题。针对上述瓶颈，刘奥团队自2024年来提出并发展了基于碲（Te）的“半金属-氧化物（semimetal-in-oxide）”材料设计理念，为突破传统氧化物空穴输运与掺杂稳定性限制提供了新的研究思路。该策略在保持低温工艺和大面积均匀性的同时，实现了可控载流子调节与大规模柔性全氧化物薄膜集成电路，为高性能p型氧化物电子器件奠定了材料基础。
文章进一步系统梳理了该类材料在薄膜晶体管、柔性CMOS电路、三维集成、类脑计算以及探测器等方向的研究进展，并对功耗控制、热稳定性与器件可靠性等面向产业应用的关键挑战进行了分析。研究认为，半金属-氧化物体系不仅拓展了传统氧化物电子学的材料边界，也为新一代低功耗逻辑与智能电子系统的发展提供了新的研究方向。
相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s44287-026-00264-z
本文链接：http://www.gihot.com/show-11-31826-0.html研究者发表p型氧化物电子学前沿研究综述
声明：本网站为非营利性网站，本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
