端侧AI驱动下一轮增长 国产存储芯片迎新机遇
近日，首届集微存储论坛在上海张江举行。与会嘉宾认为，2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态，存储芯片涨价趋势有望持续，2027年或成为观察价格趋势的转折之年。但需提及的是，2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄，短期可能面临盘整。
值得注意的是，AI算力增长由云端训练加速转向端侧推理，为具有低功耗、快速响应优势的利基型存储（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）带来新机遇。叠加三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高毛利的HBM（高带宽存储）等产品，相关国产芯片公司有望迎来新增长。
端侧AI成新驱动力，2027年或为价格转折年
自2025年下半年起，全球存储芯片行业迎来涨价潮，DRAM价格指数已上涨约10倍，相关公司业绩与股价齐飞，SK海力士、美光等相关公司股价大幅上涨。
长城证券产业金融研究院科技首席分析师唐泓翼在演讲中表示，本轮AI驱动的存储芯片上涨为“20年未遇”的大行情，其背后的核心驱动力在于供需错配。
存储芯片是典型的周期性行业。唐泓翼表示，尽管本轮存储芯片价格上涨势头强劲，但投资者仍须保持冷静。当前，服务器存储在整体存储市场的占比已从过去的20%提升至40%。未来，随着端侧AI模型成熟，AI手机、AI PC等端侧AI，有望驱动下一轮存储需求继续增长。
端侧AI市场已经开始吸引巨头进入。6月1日，英伟达发布了面向Windows PC的新款处理器芯片RTX Spark，该芯片将采用台积电3nm工艺生产，目标是彻底重塑个人电脑。英伟达透露，今后英伟达将随每一代AI处理器同步推出新一代PC芯片。今年秋季起，戴尔、联想等主流PC品牌将陆续推出搭载RTX Spark超级芯片的笔记本及台式机。
唐泓翼表示，据测算，2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态，存储芯片涨价趋势有望持续。但是，2027年或成为观察价格趋势的转折之年。
“目前SLC NAND（单层单元存储）缺货严重，主因是海外大厂产能转向HBM等高毛利产品，叠加晶圆供应受限，缺货预计将持续至2027年。”兆易创新Flash市场部经理丁冲表示。
国产存储产业链迎来发展新机遇
AI需求旺盛之下，三星、SK海力士等国际大厂纷纷将产能转向高毛利的HBM（高带宽存储）等产品，产能挤压之下，传统存储芯片价格也接连上涨。叠加AI推理侧需求持续增长，中国存储产业链迎来新发展机遇。
丁冲表示，AI正推动计算从云端集中向边缘协同转变。云端需要HBM、DDR5（双倍速率同步动态随机存储器）及企业级SSD（固态硬盘）等高端内存。端侧则要求低功耗与快速响应，这驱动LPDDR（低功耗双倍数据速率内存）和NOR Flash（闪存）需求大增；未来三年，全球利基型存储市场将显著增长。
面对AI时代机遇，聚辰股份选择深耕中小容量存储的细分应用领域——汽车电子。聚辰股份市场总监柯于宝表示，在先进制程下，公司车规级芯片面积和功耗双降30%，性能提升20%。目前，公司车规级芯片已导入全球300家Tier1（车企一级供应商）客户，并与中芯国际共建国内首条车规级晶圆测试产线。
联芸科技总经理助理陆胤桦表示，2022年至2026年，AI演进驱动存储需求经历了从大模型训练到“算—存—网”一体化的跃迁，存储正从“数据仓库”升维为“计算单元”，存算网一体化是确定性发展方向。也正因此，存储控制技术面临三大结构性挑战：架构需从被动响应转向主动预判，功耗管理需从静态策略转向动态效能，纠错码（ECC）需从基础容错迈向强可靠性保障。
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