国产存储“双子星”浮现：兆易创新登陆港股，长鑫科技冲刺科创板
国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板，完成了“A+H”双资本平台的战略布局。2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。
1月13日，国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板。上市首日，其股价报收222.8港元，较发行价大幅上涨37.53%，市值跃升至1552亿港元，这标志着公司完成了“A+H”双资本平台的战略布局。1月14日收盘时，股价报222.8港元，最新市值1567.72亿港元。
根据兆易创新此前公告，公司在港股上市募得款项净额为46.10亿港元。其中约40%将用于持续提升研发能力；约35%将用于战略性行业相关投资及收购；约9%将用于全球战略扩张及加强全球影响力，包括加强全球营销及服务网络。
存储芯片龙头登陆港股，卡位国产化关键赛道
兆易创新成立于2005年，是一家采用无晶圆厂（Fabless）模式的集成电路研发与设计公司。公司产品线覆盖闪存（NOR Flash、SLC NAND Flash）、利基型动态随机存取存储器（DRAM）、微控制器（MCU）以及模拟与传感器芯片，广泛应用于消费电子、汽车、工业、物联网等核心领域。
兆易创新已成为中国存储芯片设计领域的龙头。根据弗若斯特沙利文的数据，2024年，公司在全球NOR Flash市场占据18.5%份额，位列全球第二、中国内地第一；在SLC NAND Flash领域排名全球第六、中国内地第一。在由海外巨头主导的利基型DRAM和全球MCU市场，兆易创新分别在全球排名第七和第八，在中国内地市场则处于领跑地位。
自2016年在上交所主板上市后，兆易创新持续成长，营收方面十年（2015年到2024年）复合增长率约为22.45%。2025年第三季度财报显示，其营业总收入达68.32亿元，同比增长20.82%；归母净利润为10.83亿元，同比增长30.18%。
兆易创新业绩的爆发，与全球存储市场的结构性变化紧密相关。随着人工智能浪潮推动高带宽内存（HBM）需求激增，国际存储巨头将产能向高端产品倾斜，导致DDR等成熟制程的利基型DRAM供给收缩。兆易创新凭借其涵盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM矩阵，抓住了这一市场窗口期。
去年10月，兆易创新在投资者关系活动中表示，利基型DRAM及定制化存储业务受益于行业供给紧缩与AI需求爆发，市场回暖时点超预期，预计未来2年供应仍处相对紧张状态。公司称，该业务2025年营收有望实现同比50%增长，“展望未来5年，对于国内30亿-40亿美金的利基DRAM市场，我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。”
兆易创新还表示，公司Flash业务同样受益于存储周期的改善，公司SLC NAND产品和NOR Flash均有涨价。从长期来看，公司将继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升，并坚持全球化布局，包括海外供应链的布局。
中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。
创始人朱一明旗下长鑫科技也在冲刺科创板
兆易创新的崛起，与其创始人朱一明的战略眼光密不可分。据公开资料，朱一明1994年从清华大学物理系毕业后，便前往美国深造并进入硅谷工作。2005年，其回到北京在中关村创立了兆易创新。
朱一明锚定 NOR Flash 作为核心业务切入点。彼时这一市场正被外企和台企牢牢垄断，兆易创新凭借独特的双晶体管设计，大幅降低了芯片功耗，成功打开市场。2008年前后，行业格局进一步发生变化，三星电子因NOR Flash业务盈利空间收窄选择战略性退出，飞索半导体（Spansion）则受金融危机冲击陷入破产困境。
在供应收缩的情况下，国内中低端电子市场对NOR Flash仍有大量需求，这也让兆易创新获得了本土市场的机会。2016 年，兆易创新以23.26 元/股的发行价成功登陆A股资本市场。
在兆易创新上市的同一年，朱一明便将眼光投向DRAM领域，实际上，DRAM的市场空间远大于NOR Flash，但当时这一领域国产化率极低，且技术壁垒极高。
2016年，朱一明与合肥市政府携手，联合产业资本创立了长鑫科技。为了全力攻克DRAM量产难关，朱一明在2018年辞去兆易创新总经理职务，仅保留董事长职位，同时亲自出任长鑫科技董事长兼CEO，开启了“二次创业”。
随后五年里，朱一明将全部精力投入到合肥的晶圆厂，带领长鑫科技完成了在DRAM领域从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等。
长鑫科技也为兆易创新提供了稳定的DRAM产品制造保障，目前，双方形成了“设计+制造”的协同模式。双方合作主要包括两方面：一是长鑫科技为采用Fabless模式的兆易创新提供DRAM产品代工服务；二是在市场拓展初期，长鑫科技通过兆易创新的渠道销售部分DRAM产品。随着长鑫科技自身销售体系的完善，经销合作已于2023年下半年停止。
朱一明的前瞻布局正迎来收获期。长鑫科技2025年前三季度营收高达320.84亿元，同比增长97.79%。受持续的研发和产能爬坡投入影响，公司归母净利润仍为亏损，但亏损幅度已显著收窄，在DRAM产品市场价格上涨、产销规模持续提升等因素的带动下，长鑫科技第三季度单季扣非净利润同比大增174%，毛利率提升至35%。
更为重要的是，2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。若成功上市，其估值预计将超过1500亿元，有望成为中国半导体产业又一家千亿级巨头。
国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板，完成了“A+H”双资本平台的战略布局。2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。
1月13日，国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆香港交易所主板。上市首日，其股价报收222.8港元，较发行价大幅上涨37.53%，市值跃升至1552亿港元，这标志着公司完成了“A+H”双资本平台的战略布局。1月14日收盘时，股价报222.8港元，最新市值1567.72亿港元。
根据兆易创新此前公告，公司在港股上市募得款项净额为46.10亿港元。其中约40%将用于持续提升研发能力；约35%将用于战略性行业相关投资及收购；约9%将用于全球战略扩张及加强全球影响力，包括加强全球营销及服务网络。
存储芯片龙头登陆港股，卡位国产化关键赛道
兆易创新成立于2005年，是一家采用无晶圆厂（Fabless）模式的集成电路研发与设计公司。公司产品线覆盖闪存（NOR Flash、SLC NAND Flash）、利基型动态随机存取存储器（DRAM）、微控制器（MCU）以及模拟与传感器芯片，广泛应用于消费电子、汽车、工业、物联网等核心领域。
兆易创新已成为中国存储芯片设计领域的龙头。根据弗若斯特沙利文的数据，2024年，公司在全球NOR Flash市场占据18.5%份额，位列全球第二、中国内地第一；在SLC NAND Flash领域排名全球第六、中国内地第一。在由海外巨头主导的利基型DRAM和全球MCU市场，兆易创新分别在全球排名第七和第八，在中国内地市场则处于领跑地位。
自2016年在上交所主板上市后，兆易创新持续成长，营收方面十年（2015年到2024年）复合增长率约为22.45%。2025年第三季度财报显示，其营业总收入达68.32亿元，同比增长20.82%；归母净利润为10.83亿元，同比增长30.18%。
兆易创新业绩的爆发，与全球存储市场的结构性变化紧密相关。随着人工智能浪潮推动高带宽内存（HBM）需求激增，国际存储巨头将产能向高端产品倾斜，导致DDR等成熟制程的利基型DRAM供给收缩。兆易创新凭借其涵盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM矩阵，抓住了这一市场窗口期。
去年10月，兆易创新在投资者关系活动中表示，利基型DRAM及定制化存储业务受益于行业供给紧缩与AI需求爆发，市场回暖时点超预期，预计未来2年供应仍处相对紧张状态。公司称，该业务2025年营收有望实现同比50%增长，“展望未来5年，对于国内30亿-40亿美金的利基DRAM市场，我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。”
兆易创新还表示，公司Flash业务同样受益于存储周期的改善，公司SLC NAND产品和NOR Flash均有涨价。从长期来看，公司将继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升，并坚持全球化布局，包括海外供应链的布局。
中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。
创始人朱一明旗下长鑫科技也在冲刺科创板
兆易创新的崛起，与其创始人朱一明的战略眼光密不可分。据公开资料，朱一明1994年从清华大学物理系毕业后，便前往美国深造并进入硅谷工作。2005年，其回到北京在中关村创立了兆易创新。
朱一明锚定 NOR Flash 作为核心业务切入点。彼时这一市场正被外企和台企牢牢垄断，兆易创新凭借独特的双晶体管设计，大幅降低了芯片功耗，成功打开市场。2008年前后，行业格局进一步发生变化，三星电子因NOR Flash业务盈利空间收窄选择战略性退出，飞索半导体（Spansion）则受金融危机冲击陷入破产困境。
在供应收缩的情况下，国内中低端电子市场对NOR Flash仍有大量需求，这也让兆易创新获得了本土市场的机会。2016 年，兆易创新以23.26 元/股的发行价成功登陆A股资本市场。
在兆易创新上市的同一年，朱一明便将眼光投向DRAM领域，实际上，DRAM的市场空间远大于NOR Flash，但当时这一领域国产化率极低，且技术壁垒极高。
2016年，朱一明与合肥市政府携手，联合产业资本创立了长鑫科技。为了全力攻克DRAM量产难关，朱一明在2018年辞去兆易创新总经理职务，仅保留董事长职位，同时亲自出任长鑫科技董事长兼CEO，开启了“二次创业”。
随后五年里，朱一明将全部精力投入到合肥的晶圆厂，带领长鑫科技完成了在DRAM领域从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等。
长鑫科技也为兆易创新提供了稳定的DRAM产品制造保障，目前，双方形成了“设计+制造”的协同模式。双方合作主要包括两方面：一是长鑫科技为采用Fabless模式的兆易创新提供DRAM产品代工服务；二是在市场拓展初期，长鑫科技通过兆易创新的渠道销售部分DRAM产品。随着长鑫科技自身销售体系的完善，经销合作已于2023年下半年停止。
朱一明的前瞻布局正迎来收获期。长鑫科技2025年前三季度营收高达320.84亿元，同比增长97.79%。受持续的研发和产能爬坡投入影响，公司归母净利润仍为亏损，但亏损幅度已显著收窄，在DRAM产品市场价格上涨、产销规模持续提升等因素的带动下，长鑫科技第三季度单季扣非净利润同比大增174%，毛利率提升至35%。
更为重要的是，2025年12月30日，长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理，拟募集资金高达295亿元。若成功上市，其估值预计将超过1500亿元，有望成为中国半导体产业又一家千亿级巨头。
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