研究阐明非平衡半导体缺陷的原子起源及演化机理
近日，中国科学院合肥物质科学研究院等，发展了第一性原理驱动的多尺度模型框架，用于辐照半导体中深能级缺陷的多维度鉴定，解决了非平衡半导体缺陷原子起源及动力学演化的难题。
半导体器件在工艺加工和高能粒子辐照环境下，会产生非平衡态缺陷。此类缺陷相对于平衡态缺陷的识别极具挑战性，现有的表征技术如深能级瞬态谱（DLTS）只能探测光电信号，无法解析缺陷的原子起源，而传统的平衡态缺陷理论也难以处理非平衡缺陷的多维特性。
研究团队打破传统的单维度分析方法，构建了基于第一性原理的多尺度模型框架，突破了非平衡缺陷精准鉴定和DLTS准确模拟的瓶颈，实现了辐照半导体中深能级缺陷的多维度鉴定及其演化机理揭示。团队运用该方法鉴定了中子辐照硅中的深能级缺陷，验证了方法的可靠性。并鉴定了中子辐照第三代半导体4H-SiC中的深能级缺陷，解决了其原子起源的争议。团队同时发现，不同温度下的缺陷动力学行为不同，使缺陷类型会随着退火温度的变化而改变。
这一工作推动了半导体非平衡缺陷理论的发展，并为半导体材料和器件性能的调控提供了指导，有望应用于抗辐照电子器件和固态量子比特设计等领域。
相关研究成果发表在《自然-通讯》（Nature Communications）上。研究工作得到国家自然科学基金和中国科学院战略性先导科技专项等的支持。
论文链接
第一性原理驱动的辐照半导体深能级缺陷多维度鉴定的多尺度模型框架
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